Поиск по сайту

ГлавнаяПоиск по сайту

Информация

По вашему запросу найдено материалов: 1
Искать:
Алтухов В. И. , Филипова С. В. , Санкин А. В. , Митюгова О. А. , Антонов В. Ф. «Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC» // Известия вузов. Физика 2019. №9 C.113-116